晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 48 W
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
下降时间: 64.5 ns
正向跨导 - 最小值: 8.7 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 60.5 ns
系列: FQPF8N60C
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 81 ns
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