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FQPF9N50C

2016-10-22 13:54:00
  • 制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V Id-连续漏极电流: 9 A Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms 配置: Single 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 44 W 封装 / 箱体: TO-220FP-3 商标: Fairchild

制造商: Fairchild Semiconductor

产品种类: MOSFET

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V

Id-连续漏极电流: 9 A

Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms

配置: Single

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 44 W

封装 / 箱体: TO-220FP-3

商标: Fairchild Semiconductor

通道模式: Enhancement

下降时间: 64 ns

正向跨导 - 最小值: 6.5 S

最小工作温度: - 55 C

上升时间: 65 ns

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