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INA111BU.A	文件：318.94 Kbytes Page：17 Pages	HighSpeedFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER FEATURES FETINPUT:IB=20pAmax HIGHSPEED:TS=4ms(G=100,0.01%) LOWOFFSETVOLTAGE:500mVmax LOWOFFSETVOLTAGEDRIFT: 5mV/°Cmax HIGHCOMMON-MODEREJECTION: 106dBmin 8-PINPLASTICDIP,SOL-16SOIC APPLICATIONS MEDICALINSTRUMENTATION DATAACQUISITION DESCRIPTION The	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
IPMC-111PB	文件：1.70295 Mbytes Page：4 Pages	IndustrialminitypeEthernettofiberPoEmediaconverter	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
IRFE111	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRFF111	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF111	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS111	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS111	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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详细参数

型号：
IMX111PQ
制造商：
INTEL
制造商全称：
Intel Corporation
功能描述：
High Picture Quality Cellular Phone CMOS Image Sensors Feature Full HD Video

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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