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MMBZ5225	文件：89.82 Kbytes Page：4 Pages	AEC-Q101qualifiedavailable FEATURES •SiliconplanarpowerZenerdiodes •StandardZenervoltagetoleranceis±5 witha“B”suffix(e.g.:MMBZ5225B),suffix “C”is±2tolerance. •Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/4x10satterminals •AEC-Q101qualifiedavailable •ESDcapabilityaccord	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MMBZ5225	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •SiliconplanarpowerZenerdiodes •StandardZenervoltagetoleranceis±5 witha“B”suffix(e.g.:MMBZ5225B),suffix “C”is±2tolerance. •Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/4x10satterminals •AEC-Q101qualifiedavailable •ESDcapabilityaccordingtoAE	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MMBZ5225B	文件：39.83 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBZ5225B	文件：132.48 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE2.4to51VoltsPOWER410mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •410mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4V~51V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5225B	文件：66.06 Kbytes Page：3 Pages	350mWSURFACEMOUNTZENERDIODE Features •PlanarDieConstruction •350mWPowerDissipationonFR-4PCB •GeneralPurpose,MediumCurrent •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Notes3&4) •Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBZ5225B	文件：617.71 Kbytes Page：4 Pages	410mWZenerDiode2.4to39Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •WideVoltageRangeAvailable •SmallOutlineP	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBZ5225B	文件：464.29 Kbytes Page：4 Pages	350mWSURFACEMOUNTZENERDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBZ5225B	文件：76.39 Kbytes Page：4 Pages	350mWSURFACEMOUNTZENERDIODE Features ●PlanarDieConstruction ●350mWPowerDissipation ●2.4–51VNominalZenerVoltage ●5StandardVzTolerance ●DesignedforSurfaceMountApplication ●PlasticMaterial–ULRecognitionFlammabilityClassification94V-O	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMBZ5225B	文件：219.53 Kbytes Page：5 Pages	350mWSurfaceMountZenerDiode FEATURES ●PlanarDieConstruction. ●350mwPowerDissipation. ●Generalpurpose,mediumcurrent. ●IdeallySuitedForAutomatedAssemblyPrcesses. APPLICATIONS ●350MwSurfacemountzenerdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBZ5225B	文件：192.71 Kbytes Page：5 Pages	350mWSurfaceMountZenerDiodes Features •PlanarDieconstruction •350mWPowerDissipation •StandardZenerVoltageToleranceis±5 •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsinreflowsolderingprocess •RoHScompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON

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详细参数

型号：
IMP5225CDWP
功能描述：
Terminator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IMP5225CDWP供应商更新时间2025-7-20 16:30:00

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