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IMH9A	文件：482.39 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H9；Package：SMT6；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：482.39 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMH9A	文件：1.58258 Mbytes Page：9 Pages	General purpose (dual digital transistors) 文件：1.58258 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMH9A	文件：73.19 Kbytes Page：4 Pages	丝印：T110；Package：SMT6；General purpose (dual digital transistors) 文件：73.19 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMH9AT110	文件：482.39 Kbytes Page：8 Pages	NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：482.39 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMH9A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(DTR+DTR) •漏电吸收型超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
IMH9AFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(DTR+DTR) (支持 AEC-Q101) 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •漏电吸收型超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
IMH9AT110	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 70MA	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
SMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-457
JEITA Package：
SC-74
Number of terminal：
6
Polarity：
NPN+NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
10
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Supply voltage VCC 2[V]：
50
Collector current IC 2[A]：
0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
10
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.3
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTC114Y / DTC114Y
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1.3)

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