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IKW50N65H5	文件：2.25316 Mbytes Page：17 Pages	High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW50N65H5	文件：2.43119 Mbytes Page：17 Pages	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IKW50N65H5A	文件：1.98217 Mbytes Page：16 Pages	High speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW50N65H5AXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW50N65H5FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AIGB50N65H5	文件：1.6323 Mbytes Page：14 Pages	High speed IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering: •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •PlugandplayreplacementofpreviousgenerationIGBTs •650Vbreakdownvoltage •LowgatechargeQG •Maximumjunctiontemperature175°C •Dynamicallystresste	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AIGW50N65H5	文件：1.78884 Mbytes Page：14 Pages	High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGB50N65H5	文件：1.37058 Mbytes Page：14 Pages	High speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW50N65H5	文件：2.1846 Mbytes Page：14 Pages	High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW50N65H5	文件：2.00308 Mbytes Page：14 Pages	650V IGBT high speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW50N65H5A	文件：1.85098 Mbytes Page：14 Pages	High speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGZ50N65H5	文件：1.95191 Mbytes Page：13 Pages	650V IGBT high speed series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IKW50N65H5
功能描述：
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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