IKW30N65ET7 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
IKW30N65ET7
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON
库存数量：
70000
产品封装：
N/A
生产批号：
2024+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-8-5 9:52:00

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原厂料号：IKW30N65ET7品牌：INFINEON

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IKW30N65ET7是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装N/A/TO-247-3的IKW30N65ET7晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
IKW30N65ET7
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
内容页数：
17 页
文件大小：
1902.13 kb
资料说明：
Low Loss Duopack: IGBT with Trench and Fieldstop technology

产品属性

类型
描述
产品编号：
IKW30N65ET7XKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.65V @ 15V，30A
开关能量：
590µJ（开），500µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/245ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3
描述：
IKW30N65ET7XKSA1

供应商

企业：
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
商铺：
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联系人：
连小若
手机：
18922805453
询价：
电话：
0755-83663056
传真：
0755-83209937
地址：
福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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