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IKW15N120CS7	文件：2.01304 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K15MCS7；Package：PG-TO247-3；Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 technology Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 technology copacked with soft and fast recovery Emitter Controlled 7 diode Features • VCE=1200 V • IC=15 A • IGBT co-packed with full current, soft and low Qrr diode • Low saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V at Tvj=175 °C • Optimized for hard 文件：2.01304 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW15N120CS7	文件：4.24411 Mbytes Page：34 Pages	EiceDRIVER™ 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact) Features • Single-channel isolated gate driver • For use with 600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBTs, Si and SiC MOSFETs • Up to 6.5 A typical peak output current • 45 ns propagation delay with 7 ns part-to-part matching (skew) • 35 V absolute maximum output supply voltage • High common-mode 文件：4.24411 Mbytes 页数：34 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW15N120H3	文件：833.85 Kbytes Page：14 Pages	High speed Duopack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode Features: TRENCHSTOP™ technology offering • very low VCEsat • low EMI • Very soft, fast recovery anti-parallel diode • maximum junction temperature 175°C • qualified according to JEDEC for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • complete product spectrum and PSpice Mod 文件：833.85 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW15N120BH6	文件：2.14502 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K15MBH6；Package：PG-TO247-3；High speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode 文件：2.14502 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW15N120H3	文件：2.13291 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K15H1203；Package：PG-TO247-3；1200V high speed switching series third generation 文件：2.13291 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW15N120H3_14	文件：2.13291 Mbytes Page：16 Pages	1200V high speed switching series third generation 文件：2.13291 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW15N120T2	文件：477.64 Kbytes Page：15 Pages	IGBT in 2nd generation TrenchStop짰 technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode 文件：477.64 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW15N120T2	文件：386.59 Kbytes Page：15 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop technology 文件：386.59 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW15N120T2_08	文件：386.59 Kbytes Page：15 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop technology 文件：386.59 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW15N120T2_13	文件：477.64 Kbytes Page：15 Pages	IGBT in 2nd generation TrenchStop짰 technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode 文件：477.64 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
undefined
Switching Frequency min：
20 kHz
Switching Frequency max：
100 kHz
Technology：
IGBT HighSpeed 3
Voltage Class max：
1200 V
IC @ 100° max：
15 A
VCE(sat)：
2.05 V
Qualification：
Industrial
Eon：
1.1 mJ
Eoff Hard Switching：
0.45 mJ
IF max：
15 A
Qrr：
800 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-3
td(on)：
21 ns
tr：
34 ns
td(off)：
260 ns
tf：
14 ns
QGate：
75 nC
IC @ 25° max：
30 A
IFpuls max：
60 A
VF：
2.4 V
Irrm：
7.7 A
ICpuls max：
60 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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