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IKP28N65ES5分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
IKP28N65ES5 |
| 参数属性 | IKP28N65ES5 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 28A TO220-3 |
| 功能描述 | TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full rated current RAPID 1 fast and soft anti parallel diode |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TO220-3 / TO-220-3 |
| 文件大小 |
2.02413 Mbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 23:00:00 |
| 人工找货 | IKP28N65ES5价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IKP28N65ES5规格书详情
IKP28N65ES5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKP28N65ES5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
IKP28N65ES5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop™ 5
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,28A
- 开关能量:
530µJ(开),400µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
27ns/184ns
- 测试条件:
400V,28A,34 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
PG-TO220-3
- 描述:
IGBT 650V 28A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-TO220-3 |
9600 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO220-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
PG-TO220-3 |
115000 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
PG-TO220-3 |
8000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
PG-TO220-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
IGBT 650V 38A 1 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
IGBT 650V 38A 1 |
7000 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
2022+ |
PG-TO220-3 |
48000 |
只做原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 |

