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MGP15N60U	文件：120.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistorN–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Italsoprovideslowon–voltagewhichresultsinefficientoperationat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

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BWTECH

Bruckewell Technology LTD

BWTECH

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详细参数

型号：
IKB15N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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