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IXTI10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM10N60	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	10AMP,600V,0.55-ohm/0.7-ohm 10AMP,600V,0.55Ω/0.7Ω	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60P	文件：158.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60P	文件：295.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤740mΩ@VGS=10V •Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverter •Switch-ModeandResonant-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP10N60PM	文件：53.27 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV™PowerMOSFET(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Plasticovermoldedtabforelectricalisolation •Internationalstandardpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP10N60PM	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •Staticdrain-sourceon-resistance :RDS(on)≤0.74Ω@VGS=10V •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverter •Idealforhigh-frequen	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JCS10N60BT	文件：716.45 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS10N60BT-O-B-N-B	文件：716.45 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS10N60C	文件：730.48 Kbytes Page：10 Pages	LEDpowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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详细参数

型号：
IKB10N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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