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IXGH10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXSH10N60	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH10N60A	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA10N60P	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA10N60P	文件：158.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	10AMP,600V,0.55-ohm/0.7-ohm 10AMP,600V,0.55Ω/0.7Ω	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：367.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IKB10N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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