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IPS512G	文件：182.03 Kbytes Page：11 Pages	FULLYPROTECTEDHIGHSIDEPOWERMOSFETSWITCH Description TheIPS511G/IPS512Garefullyprotectedfiveterminalhighsideswitcheswithbuiltinshort-circuit,over-temperature,ESDprotection,inductiveloadcapabilityanddiagnosticfeedback.TheoutputcurrentiscontrolledwhenitreachesIlimvalue.Thecurrentlimitationisactivated	IRF International Rectifier	IRF
IRF512	文件：151.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,60-100V N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF512	文件：70.67 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
IRF512	文件：71.57 Kbytes Page：7 Pages	4.9A,and5.6A,80Vand100V,0.54and0.74Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF512	文件：45.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF512	文件：374.91 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IWD512	文件：144.5 Kbytes Page：3 Pages	IWDSERIES-DUALOUTPUT,10WATT	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
IWS512	文件：111.94 Kbytes Page：3 Pages	IWSSERIES-10WATT DESCRIPTION IWSDC/DCconvertersofferexcellentregulationandisolationinanindustry-standardpackage.Availableinseveralinputversions,theIWSisperfectforindustrial,datacom,ortelecomapplications.TheIWSfeaturesshortcircuitprotectionand500VDCisolation.PleaseseetheIWD	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
KM512J	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R.F.MoldedChokes [OhmiteMfg.Co.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
KPI512	文件：227.18 Kbytes Page：4 Pages	PhotoInterrupter	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

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