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IGW50N60T	文件：402.03 Kbytes Page：13 Pages	LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW50N60T	文件：454.22 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW50N60T	文件：495.33 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW50N60T_15	文件：495.33 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW50N60TP	文件：1.46338 Mbytes Page：14 Pages	600V IGBT TRENCHSTOPTM Performance series	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW50N60TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 100A 333W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW50N60TPXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
50N60	文件：242.78 Kbytes Page：11 Pages	IGBT-FieldStopII	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50N60	文件：153.27 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
50N60	文件：173.07 Kbytes Page：5 Pages	Polar3HiperFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
50N60G-TND-T	文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
50N60L-TND-T	文件：345.38 Kbytes Page：8 Pages	50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
AIKW50N60CT	文件：1.97708 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
DAM50N60C	文件：277.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DAM50N60G	文件：234.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DTGN50N60	文件：1.47824 Mbytes Page：10 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergy efficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
FGA50N60LS	文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGW50N60H	文件：645.08 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FGW50N60HD	文件：646.63 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FGW50N60VD	文件：671.72 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ

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详细参数

型号：
IGW50N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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深圳市高捷芯城科技有限公司	IGW50N60T	Infineon(英飞凌)	23+	TO-247	1076	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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