IGW30N60T 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
IGW30N60T
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
9852
产品封装：
LQFP
生产批号：
1844+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-16 17:19:00

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详细信息
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原厂料号：IGW30N60T品牌：Infineon

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IGW30N60T是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Infineon/Infineon Technologies生产封装LQFP/TO-247-3的IGW30N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
IGW30N60T
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
内容页数：
12 页
文件大小：
495.77 kb
资料说明：
Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology

产品属性

类型
描述
产品编号：
IGW30N60TPXKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
TrenchStop™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，30A
开关能量：
710µJ（开），420µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/179ns
测试条件：
400V，30A，10.5 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3
描述：
IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3

供应商

企业：
深圳市科恒伟业电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
李小姐/黄先生
手机：
13424246946
询价：
电话：
0755-82569753
传真：
0755-83205202
地址：
深圳市福田区振兴路101号华匀1栋5楼B14

IGW30N60T 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

IGW30N60T

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