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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
PowerMOSFETswithExtendedFBSOA | IXYS IXYS Corporation | IXYS | ||
PowerMOSFETswithExtendedFBSOA | IXYS IXYS Corporation | IXYS | ||
N-ChannelPowerMOSFET | IXYS IXYS Corporation | IXYS | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=100V,ID=30A SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation RDS(ON) | RECTRON Rectron Semiconductor | RECTRON | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | RECTRON Rectron Semiconductor | RECTRON |
详细参数
- 型号：
IGW30N100T
- 功能描述：
IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-247 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IGW30N100T即刻询购立享优惠#长期有货 |
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INFINEON |
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INFINEON |
2020+ |
TO-247 |
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Infineon |
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Infineon |
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MA |
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INFINEON |
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TO247 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
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全新原装正品现货,支持订货 |
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英飞翎 |
22+ |
TO-247 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原厂原装现货 |
询价 |
更多IGW30N100T供应商
更新时间2025-7-20 10:11:00
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