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IDV08E65D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Power Diode Rapid 2 switching 650 V, 8 A emitter controlled power silicon diode in a TO-220 FullPAK package is designed for applications switching between 40 kHz and 100 kHz. • Lowest reverse recovery charge (Qrr): forward voltage (VF) ratio for BiC performance\n• Low reverse recovery time (trr)\n• Lowest Irrmto provide lowest turn-on losses on the boost switch\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IDV08E65D2	文件：1.74145 Mbytes Page：10 Pages	Electrically isolated FullPAK for efficient assembly 文件：1.74145 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDV08E65D2XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2	Infineon 英飞凌	Infineon
IDP08E65D2	文件：243 Kbytes Page：2 Pages	Ultra fast Rectifier 文件：243 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IDP08E65D2	文件：1.73158 Mbytes Page：10 Pages	Qualified according to JEDEC for target applications 文件：1.73158 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Package name：
PG-TO220-2
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Voltage Class max：
650 V
Configuration：
Single
IF max：
8 A
IF：
8 A
I(FSM) max：
60 A
VF max：
1.6 V
VF：
1.6 V
IR max：
40 µA
Irrm：
2.5 A
Qrr：
0.08 µC
trr：
40 ns
Ptot max：
27.3 W
RthJC max：
5.5 K/W
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
175 °C
Mounting：
THT

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更多IDV08E65D2供应商更新时间2025-10-5 9:11:00

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