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IDV04S60C	文件：300 bytes Page：1 Pages	2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode	Infineon 英飞凌	Infineon
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IDV04S60CXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2FP	Infineon 英飞凌	Infineon
SDD04S60	文件：800.96 Kbytes Page：10 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：800.96 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SDD04S60	文件：280.47 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Silicon Carbide Schottky Diode • Worlds first 600V Schottky diode • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery • No temperature influence on the switching behavior • Ideal diode for Power Factor Correction up to 800W1) • No fo 文件：280.47 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SDP04S60	文件：280.47 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Silicon Carbide Schottky Diode • Worlds first 600V Schottky diode • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery • No temperature influence on the switching behavior • Ideal diode for Power Factor Correction up to 800W1) • No fo 文件：280.47 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IDV04S60C
功能描述：
肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Diode 600V 4A
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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