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IDT71V35761S183PFGI	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：972.44 Kbytes 页数：21 Pages	IDT	IDT
IDT71V35761S183PFGI8	文件：972.44 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：972.44 Kbytes 页数：21 Pages	IDT	IDT
IDT71V35761S183PFI	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Description The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. The IDT71V35761/781 SRAMs contain write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write c 文件：282.83 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT
71V35761S183PFG	文件：319.72 Kbytes Page：23 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆ 128K x 36 memory configurations ◆ Supports high system speed: Commercial: – 200MHz 3.1ns clock access time Commercial and Industrial: – 183MHz 3.3ns clock access time – 166MHz 3.5ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ 3.3V core power supply 文件：319.72 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V35761S183PFGI	文件：319.72 Kbytes Page：23 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆ 128K x 36 memory configurations ◆ Supports high system speed: Commercial: – 200MHz 3.1ns clock access time Commercial and Industrial: – 183MHz 3.3ns clock access time – 166MHz 3.5ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ 3.3V core power supply 文件：319.72 Kbytes 页数：23 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IDT71V35761S183BG	文件：282.83 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect Description The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. The IDT71V35761/781 SRAMs contain write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write c 文件：282.83 Kbytes 页数：22 Pages	IDT	IDT

详细参数

型号：
IDT71V35761S183PFGI
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
2,000
系列：
MoBL® 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 异步
存储容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
速度：
45ns
接口：
并联
电源电压：
2.2 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商设备封装：
48-VFBGA（6x8）
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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