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IDT70V659S12DRI	文件：194.05 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
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70V659S12BC	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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详细参数

型号：
IDT70V659S12DRI
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
3,000
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
8K(1K x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
1.7 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)

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更多IDT70V659S12DRI供应商更新时间2024-4-27 16:30:00

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