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70V658S10BC8	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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70V658S10BC8

文件：321.08 Kbytes

Page：26 Pages

HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
IDT70V658S10BC8
功能描述：
IC SRAM 2MBIT 10NS 256BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
3,000
系列：
- 格式 -
存储器：
EEPROMs - 串行
存储器类型：
EEPROM
存储容量：
8K(1K x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 线串口
电源电压：
1.7 V ~ 5.5 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC
包装：
带卷(TR)

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更多IDT70V658S10BC8供应商更新时间2024-4-27 16:30:00

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