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IDDD12G65C6分立半导体产品二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

IDDD12G65C6
厂商型号

IDDD12G65C6

参数属性

IDDD12G65C6 封装/外壳为10-PowerSOP 模块;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:SIC DIODES

功能描述

650V SiC Schottky Diode
SIC DIODES

文件大小

651.48 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-25 12:00:00

IDDD12G65C6规格书详情

Features

 Best in class forward voltage (1.25 V)

 Best in class figure of merit (Qc x VF)

 High dv/dt ruggedness (150 V/ns)

Potential Applications

 Power factor correction in SMPS

 Solar inverter

 Uninterruptible power supply

IDDD12G65C6属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。英飞凌科技股份公司制造生产的IDDD12G65C6二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IDDD12G65C6XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    CoolSiC™+

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    34A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    594pF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-PowerSOP 模块

  • 供应商器件封装:

    PG-HDSOP-10-1

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    SIC DIODES

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
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