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IRFE9220	文件：137.4 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitytheyneedtoincreasecircuitboarddensity.InternationalRe	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9220	文件：138.44 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9220	文件：16.67 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9220	文件：327.78 Kbytes Page：7 Pages	-2.5A,-200V,1.5Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs -2.5A,-200V,1.5Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheyareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforappl	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF9220	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET?쏷RANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■RepetitiveAvala	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9220	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■RepetitiveAvala	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9220	文件：169 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=-3.6A) DESCRIPTION TheHEXFEtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. FEATURES •	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9220	文件：99.42 Kbytes Page：8 Pages	3.6A,200V,1.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecificlevelofenergyintheavalanchebreakdownmodeofoperation.TheseareP-Channelenhancement-modesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR9220	文件：2.04248 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9220	文件：4.5583 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
ICS9220
制造商：
IDT
制造商全称：
Integrated Device Technology
功能描述：
Programmable RambusTM XDRTM Clock Generator

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