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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRLR3714

IR/VISHAYTO-252

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRTO-252

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRD-pak

1980

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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IR原厂封装

9450

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原装正品,实单请联系

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IR/VISHAYTO-252

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深圳市华高宇电子有限公司

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INFINEON/IR

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深圳市安博威科技有限公司

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INFINEON/IRPG-TO252-3 (DPAK)

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原装正品 有挂有货

深圳市创新迹电子有限公司

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IRTO-252

9000

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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IRSOT252

30216

提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S

深圳市珩瑞科技有限公司

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IRTO-252

6000

21+

原装正品

深圳市汇莱威科技有限公司

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TO-252

68900

IR/VISHAY

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深圳市杰顺创科技有限公司

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IRTO-252

30490

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原装现货库存

深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRSOT-252

80000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市得捷芯城科技有限公司

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IRNA/

80

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

中天科工半导体(深圳)有限公司

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IR/VISHAYTO-252

36900

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原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRTO-252

50000

2023+

原装现货

深圳市易讯博科技有限公司

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InfineonNA

2118

22+

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深圳市博浩通科技有限公司

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IRD-Pak

8600

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全新原装现货

深圳市吉利鑫科技发展有限公司

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IRTO-252

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绝对原装现货热卖

深圳市明嘉莱科技有限公司

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IRNA

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明嘉莱只做原装正品现货

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生产厂家品牌为IR的IRLR3714多少钱,想知道IRLR3714价格是多少?参考价:¥1.5600。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRLR3714批发价格及采购报价,IRLR3714销售排行榜及行情走势,IRLR3714报价。

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IRLR3714功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLR3714HR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 36A 3PIN DPAK - Bulk

IRLR3714PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR3714TR制造商:International Rectifier

IRLR3714TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRLR3714TRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLR3714TRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR3714TRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLR3714TRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLR3714TRRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube