| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
16000 |
22+ |
深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装NA |
35428 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONTO252 |
6000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
29316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-252 |
7000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
6324 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO252 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
59000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IR/INTERSILTO-252 |
29865 |
22+ |
主营IR//英飞凌.终端BOM表可配单 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
49 |
18+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市博正芯科技有限公司4年
留言
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INFINEONTO-252 |
6000 |
21+ |
INFINEON专卖,进口原装深圳现货 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-252 |
10000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRTO-252 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEOTO252 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
25048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
IRLR3110Z采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLR3110Z图片
IRLR3110ZTRPBF价格
IRLR3110ZTRPBF价格：￥3.5720品牌：International
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IRLR3110ZTRPBF资讯
IRLR3110ZTRPBF
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IRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZPBF 原装正品 场效应管
63A,100V,0.014ohm,N沟道,硅,POWER,场效应管,TO-252AA
IRLR3110ZTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR3110ZPBF功能描述:MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3110ZPBF_09制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance, 175C Operating Temperature
IRLR3110ZTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3110ZTRPBF功能描述:MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3110ZTRRPBF功能描述:MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
