| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD-pak |
28000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
2000 |
0033+ |
原盘原标 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
30000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEON/IRPG-TO252-3 (DPAK) |
2000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IR252 |
30000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
9700 |
17+ |
绝对原装正品现货假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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2000 |
20+ |
PG-TO252-3 (DPAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRPG-TO252-3 (DPAK) |
2000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRDPAKTO252 |
258880 |
01+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSOT-252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRTO-252 |
30000 |
1436+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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原厂封装 |
9888 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
IRLR3103TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLR3103TR图片
IRLR3103TRPBF价格
IRLR3103TRPBF价格：￥1.6489品牌：International
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IRLR3103TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR3103TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR3103TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR3103TRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR3103TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 46A 19mOhm 33.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3103TRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3103TRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
