| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-252DPAK |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRTO-252DPAK |
11980 |
2122+ |
只做原装进口正品,假一赔十,价格优势 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO252 |
10000 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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IRTO-252DPAK |
75000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO 252 |
154983 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)TO-252 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
7430 |
06+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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IR货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-252 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRSOP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
IRLR014采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLR014图片
IRLR014PBF价格
IRLR014PBF价格：￥1.4470品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRLR014PBF多少钱，想知道IRLR014PBF价格是多少？参考价：￥1.4470。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLR014PBF批发价格及采购报价，IRLR014PBF销售排行榜及行情走势，IRLR014PBF报价。
IRLR014中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR014功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR014_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRLR014A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA
IRLR014N制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLR014NPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR014NTR功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR014NTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR014NTRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR014NTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR014NTRRPBF制造商:International Rectifier
