| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-247 |
65400 |
23+ |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-247 |
27537 |
05+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-247 |
65400 |
23+ |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-247 |
6848 |
06+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO247 |
50000 |
22+ |
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-247AC |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO247 |
110 |
0536+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-247 |
35890 |
23+ |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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IRTO247 |
265 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IR管3P |
18000 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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IRTO-247 |
75135 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-247 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO247 |
4856 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IRTO-3P |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-247 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO-247-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
IRG4PH20K采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4PH20K图片
IRG4PH20KDPBF价格
IRG4PH20KDPBF价格：￥6.9996品牌：International
生产厂家品牌为International的IRG4PH20KDPBF多少钱，想知道IRG4PH20KDPBF价格是多少？参考价：￥6.9996。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4PH20KDPBF批发价格及采购报价，IRG4PH20KDPBF销售排行榜及行情走势，IRG4PH20KDPBF报价。
IRG4PH20K中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4PH20K功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PH20KD功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PH20KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PH20KPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IRG4PH20K
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.3V @ 15V，5A
- 开关能量：
450µJ（开），440µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/93ns
- 测试条件：
960V，5A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
