| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAY/威世TO-252 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
8000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)TO-252-2(DPAK) |
62128 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRSOP-252 |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IR/VISHAYSOT252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT252 |
68900 |
IR/VISHAY |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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IRTO-252 |
6896 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOT-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOT252 |
36000 |
23+ |
专业优势供应 |
IRFR9110TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR9110TR图片
IRFR9110TRPBF价格
IRFR9110TRPBF价格：￥1.7836品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR9110TRPBF多少钱，想知道IRFR9110TRPBF价格是多少？参考价：￥1.7836。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9110TRPBF批发价格及采购报价，IRFR9110TRPBF销售排行榜及行情走势，IRFR9110TRPBF报价。
IRFR9110TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9110TR功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRA制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9110TRL功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRLA制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9110TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9110TRR功能描述:MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR9110TRRPBF功能描述:MOSFET 100V 3.1A 25W 1.2ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
