| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-252 |
8000 |
21+ |
绝对原装INFINEON正品现货，12年信誉保证只做原装、一定有货！ |
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华星微半导体（深圳）有限公司1年
留言
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IRN/A |
5000 |
23+ |
代理分销,可追溯 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-252-2 |
25000 |
20+21+ |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRLGA |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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IRTO-252-2 |
6850 |
21+ |
原装正品!量大可以发货!特价支持实单! |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
17258 |
2024+ |
绝对全新原装,现货热卖 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IR(国际整流器)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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IRTO-252 |
10000 |
22+ |
原装正品,现货优势供应 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP16 |
15000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
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IRTO-252 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IR原现TO-252 |
25000 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
15000 |
21+ |
绝对原装公司现货欢迎询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
69316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO252 |
65048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
8000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌D-PAK |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
IRFR5305采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR5305图片
IRFR5305PBF价格
IRFR5305PBF价格：￥1.3797品牌：INTERNATIONAL
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IRFR5305TRPBFMOS(场效应管)资讯
IRFR5305TRPBF
IRFR5305TRPBF
IRFR5305 腾迅辉电子进口原装现货
型号;IRFR5305 品牌IR 封装TO-252 年份2011+ 库存30000 100%进口原装现货库存供应 深圳市腾迅辉电子科技有限公司 联系人：朱先生/文小姐/李先生 电话：0755-61622058/61622059/61622368 手机：18676
IRFR5305TRPBFMOS(场效应管)中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR5305制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -28A, 65 MOHM, 42 NC QG, D-PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IRFR5305CPBF功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR5305HR制造商:IR 功能描述:HIREL part for Textron
IRFR5305PBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR5305TRL功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR5305TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR5305TRLPBFBL制造商:International Rectifier
IRFR5305TRPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR5305TRPBFBL制造商:International Rectifier
IRFR5305TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 55 V 89 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK
