| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRSOT-252 |
10755 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
4300 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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IRFRSOP |
2000 |
06+ |
只做原装,优势现货,上传就是有货,假一罚十!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO252 |
464 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRSOT-252 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IR/INFIOEONTO-252 |
3140 |
1417+1424+ |
进口原盘原标环保 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
12000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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IRTO252 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRDPAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3620 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRSOT-252 |
35000 |
2020+ |
100%进口原装现货,价格优势热卖 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
244 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
IRFR3711采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR3711图片
IRFR3711ZTRPBF价格
IRFR3711ZTRPBF价格：￥2.5832品牌：IR
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IRFR3711中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR3711功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3711HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 100A 3PIN DPAK - Bulk
IRFR3711PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3711TR功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3711TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 100A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR3711TRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3711TRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 100A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR3711TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 110A 6.5mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3711TRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3711TRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
