选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市创芯联科技电子有限公司5年
留言
|
IR(国际整流器)tray |
2800 |
2022+ |
|
正品现货直销 稳定供应现货可含税 |
||
|
博速半导体(深圳)有限公司1年
留言
|
6500 |
ROHS环保 |
原装正品,支持实单 |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
|||||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-252 |
150 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
IRTO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
|||
|
深圳市创芯联科技电子有限公司5年
留言
|
IR(国际整流器)tray |
2800 |
2022+ |
|
正品现货直销 稳定供应现货可含税 |
||
|
深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
|
IRTO-252 |
9659 |
22+ |
原装正品.原标原盒.用芯服务 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRD-PAK |
32500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRDPAK |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市芯艺涵电子科技有限公司2年
留言
|
IRTO-252 |
10000 |
23+ |
原装现货 |
|||
|
深圳市恒驰远创科技有限公司4年
留言
|
IRD-PAK |
5689 |
21+ |
原装现货IR优势专营 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
6000 |
21+ |
原装正品 |
||||
|
深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
|
IRDPAK |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-252 |
15000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
IRTO252 |
5254 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
TO-252 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
IR/VISHAYTO-252 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IRD-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
|||
|
深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
|
IR |
65480 |
23+ |
IRFR3707采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFR3707图片
IRFR3707ZTR价格
IRFR3707ZTR价格:¥1.5600品牌:IR
生产厂家品牌为IR的IRFR3707ZTR多少钱,想知道IRFR3707ZTR价格是多少?参考价:¥1.5600。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFR3707ZTR批发价格及采购报价,IRFR3707ZTR销售排行榜及行情走势,IRFR3707ZTR报价。
IRFR3707资讯
IRFR3707Z 一级代理分销
IRFR3707ZIR供货中心
IRFR3707中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR3707功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3707PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3707PBFTR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR3707TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3707TRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3707TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 13mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3707TRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3707TRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3707Z功能描述:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3707ZCPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube