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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRFR3707

IR/VISHAYTO-252

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市创芯联科技电子有限公司

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IRFR3707

IR(国际整流器)tray

2800

2022+

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正品现货直销 稳定供应现货可含税

博速半导体(深圳)有限公司

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IR

6500

ROHS环保

原装正品,支持实单

深圳市汇莱威科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO252

7906200

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO-252

150

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市赛能新源半导体有限公司

4年 留言
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IRTO-252

60000

21+

原装正品进口现货

深圳市创芯联科技电子有限公司

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IR(国际整流器)tray

2800

2022+

1+
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正品现货直销 稳定供应现货可含税

深圳市柯尔基电子有限公司

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IRTO-252

9659

22+

原装正品.原标原盒.用芯服务

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRD-PAK

32500

20+

现货很近!原厂很远!只做原装

深圳市创新迹电子有限公司

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IRDPAK

6800

2021+

原厂原装,欢迎咨询

深圳市芯艺涵电子科技有限公司

2年 留言
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IRTO-252

10000

23+

原装现货

深圳市恒驰远创科技有限公司

4年 留言
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IRD-PAK

5689

21+

原装现货IR优势专营

深圳市珩瑞科技有限公司

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IR

6000

21+

原装正品

深圳市恒意法电子有限公司

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IRDPAK

5000

21+

专营原装正品现货,当天发货,可开发票!

深圳市特莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

15000

21+23+

16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

深圳市凌旭科技有限公司

12年 留言
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    谢先生(本公司为一般纳税人,可开13%增值税发票,请放心采购)

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IRTO252

5254

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市汇莱威科技有限公司

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TO-252

68900

IR

原包原标签100%进口原装常备现货!

中天科工半导体(深圳)有限公司

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IR/VISHAYTO-252

36900

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市博浩通科技有限公司

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IRD-Pak

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23+

全新原装现货

深圳市赛尔通科技有限公司

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IR

65480

23+

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IRFR3707ZTR价格

IRFR3707ZTR价格:¥1.5600品牌:IR

生产厂家品牌为IR的IRFR3707ZTR多少钱,想知道IRFR3707ZTR价格是多少?参考价:¥1.5600。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFR3707ZTR批发价格及采购报价,IRFR3707ZTR销售排行榜及行情走势,IRFR3707ZTR报价。

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IRFR3707功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3707PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR3707PBFTR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IRFR3707TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3707TRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3707TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 13mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR3707TRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR3707TRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3707Z功能描述:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR3707ZCPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube