| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO-220 |
2685 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
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VISHAY/威世TO-220 |
4800 |
22+ |
原装正品实单价格可谈 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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21030 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)Tube |
62790 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
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VISHAYTO-220 |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
9888 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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IRTO-220 |
360000 |
22+ |
进口原装房间现货实库实数 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IRNA/ |
145 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
19526 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-220 |
98 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220AB |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
06+ |
自己公司全新库存绝对有货 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VishayTO-220 |
51880 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
IRFBE20采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBE20图片
IRFBE20PBF价格
IRFBE20PBF价格：￥3.1362品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBE20PBF多少钱，想知道IRFBE20PBF价格是多少？参考价：￥3.1362。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBE20PBF批发价格及采购报价，IRFBE20PBF销售排行榜及行情走势，IRFBE20PBF报价。
IRFBE20中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBE20功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE20PBF功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE20S功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBE20STRL功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBE20STRR功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
