选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
620 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
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VISHAYTO-263 |
630 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
321 |
1932+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
87636 |
22+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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SECTO220 |
9852 |
2046+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO220 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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SECTO-220 |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501330 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRD2-Pak |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRSOT-263 |
7700 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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INTERNATIONA原厂原装 |
4890 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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IRF9610S图片
IRF9610SPBF价格
IRF9610SPBF价格:¥5.6393品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF9610SPBF多少钱,想知道IRF9610SPBF价格是多少?参考价:¥5.6393。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF9610SPBF批发价格及采购报价,IRF9610SPBF销售排行榜及行情走势,IRF9610SPBF报价。
IRF9610S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9610S功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9610SPBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9610STRL功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9610STRR功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件