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深圳市坤融电子科技有限公司

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IRF7832

IRSOP-8

12130

22+

只做原装进口 免费送样!!

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IRF7832ZTRPBF

INFINEONNA

34982

23+

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:¥0.888

热卖原装进口

深圳市金芯世纪电子有限公司

1年 留言
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INFINEON

100000

代理渠道/只做原装/可含税

易创佳业科技(深圳)有限公司

3年 留言
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INFINEON/IRSO-8

8000

23+

原装现货支持送检

深圳市恒达亿科技有限公司

10年 留言
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INFINEONSOP8

6000

23+

全新原装现货、诚信经营!

深圳市凌旭科技有限公司

12年 留言
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    张小姐/李先生(正规纳税人企业,可开13%增票,请放心采购)

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INFINEONSOP-8

13200

21+

十年信誉,只做原装,有挂就有现货!

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8

7793

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市高捷芯城科技有限公司

5年 留言
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Infineon(英飞凌)SOP8

39048

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市鼎欣微电子有限公司

3年 留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8

12000

23+

原装现货,直供终端工厂

深圳市富芯乐电子科技有限公司

9年 留言
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IRSOP-8

40000

23+

全新原装现货特价销售,欢迎来电查询

深圳市赛能新源半导体有限公司

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INFINEONSO-8

60000

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原装正品进口现货

深圳市星佑电子有限公司

5年 留言
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IRSOP8

6000

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全新原装 公司现货 价格优

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRSO-8

25000

23+

代理原装现货,假一赔十

深圳市宝芯创电子有限公司

9年 留言
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IRSOIC_8

5600

新批号

深圳市金启宁科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP8

50000

21+

只做原装,支持实单!

深圳市拓亿芯电子有限公司

10年 留言
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IRSOP-8

22000

23+

原装现货假一罚十

深圳市天成基业科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP-8

13086

21+

全新、原装

深圳市明嘉莱科技有限公司

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INFINEON TECHNOLOGIES AGSMD

918000

23+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRSOP8

9850

21+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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IRSOP

3795

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IRF7832制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET

IRF7832HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC - Rail/Tube

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IRF7832TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7832TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF7832TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

IRF7832Z功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7832ZHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC - Rail/Tube

IRF7832ZPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes

IRF7832ZTR功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件