选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
2417 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRSOP-8 |
400 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSO-8 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRSOP8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRSO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
6528 |
1726+ |
只做进口原装正品现货,假一赔十! |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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IORSOP-8 |
5000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 15118075546 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
5000 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IORSOP-8 |
1400 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IORSOP |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IORSMD |
8000 |
23+ |
全新原装现货,欢迎来电咨询 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRSOP8 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
IRF7809A采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7809A图片
IRF7809AVPBF价格
IRF7809AVPBF价格:¥1.9518品牌:IR
生产厂家品牌为IR的IRF7809AVPBF多少钱,想知道IRF7809AVPBF价格是多少?参考价:¥1.9518。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF7809AVPBF批发价格及采购报价,IRF7809AVPBF销售排行榜及行情走势,IRF7809AVPBF报价。
IRF7809A资讯
IRF7809AVTRPBF晶体管 ZD24C08A-XGMT集成电路(IC)原装在库 一件起售 欢迎询价
IRF7809AVTRPBF晶体管ZD24C08A-XGMT集成电路(IC)
IRF7809A中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7809A制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Chipset for DC-DC Converters
IRF7809ATR功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7809AV功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7809AVHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC
IRF7809AVPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7809AVTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7809AVTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube