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深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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    司先生

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INFINEON/英飞凌SO8

7906200

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8

7793

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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IRSOP-8

2417

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市金华微盛电子有限公司

5年 留言
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IRSOP8

3470

2019+

原厂渠道 可含税出货

深圳市赛尔通科技有限公司

14年 留言
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    朱小姐/李先生

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IRSOP-8

400

23+

瀚佳科技(深圳)有限公司

6年 留言
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    李先生李小姐

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IRSOP-8

9800

18+

一级代理/全新原装现货/长期供应!

深圳市纳艾斯科技有限公司

9年 留言
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    朱先生

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    深圳市福田区华强北路赛格大厦4010B

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VISHAYSO-8

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市明盛嘉电子科技有限公司

3年 留言
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    深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋603

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IRSOP-8

5000

21+

原装现货/假一赔十/支持第三方检验

深圳市宝隆宏业科技有限公司

7年 留言
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IRSOP8

8903

2021+

诚信经营..品质保证..价格优势

深圳市百域芯科技有限公司

3年 留言
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BychipSOP8

10000

23+

高品质替代,技术支持,参数选型

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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INFINEON/英飞凌SO8

120000

20+

原装正品 可含税交易

深圳市珩瑞科技有限公司

3年 留言
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    深圳市福田区华强北街道华匀大厦2栋517室

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IRSO-8

6000

21+

原装正品

深圳市科恒伟业电子有限公司

10年 留言
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    深圳市福田区振兴路101号华匀1栋5楼B14

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IRSOP8

6528

1726+

只做进口原装正品现货,假一赔十!

深圳市力拓辉电子有限公司

13年 留言
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    肖小姐/李先生

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    深圳市福田区中航路都会电子城B座26楼26U室

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IORSOP-8

5000

22+

只做原装,假一赔十 15118075546

深圳市天成基业科技有限公司

2年 留言
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    朱小姐

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    广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6层

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IRSOP-8

5000

20+/21+

全新原装进口价格优势

深圳市博浩通科技有限公司

14年 留言
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    罗小姐/王先生

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    国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室

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    2024-4-23 17:30:00

IORSOP-8

1400

23+

全新原装

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

14年 留言
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    夏小姐.李先生(公司为一般纳税人,可开13%增票)

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    福田区华强北路上步工业区102栋620室

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IORSOP

50000

2023+

原装现货

深圳市勤思达科技有限公司

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IORSMD

8000

23+

全新原装现货,欢迎来电咨询

深圳兆威电子有限公司

6年 留言
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    颜小姐/李先生

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    广东深圳龙岗区坂田街道中兴路11号城市山海中心C栋606-608

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IRSOP-8

90000

23+

只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市明嘉莱科技有限公司

3年 留言
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    19168723354

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    王先生/刘小姐

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IRSOP8

880000

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明嘉莱只做原装正品现货

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IRF7809A制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Chipset for DC-DC Converters

IRF7809ATR功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7809AV功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7809AVHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC

IRF7809AVPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF7809AVTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOIC - Tape and Reel

IRF7809AVTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube