| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOP-8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRSOP-8 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
1705 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
1050 |
23+ |
优势库存 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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IRSOP-8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRSOP-8 |
90000 |
23+ |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRNA |
745 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IORSOP8 |
146 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRSOP-8 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IRPLCC-28 |
18000 |
23+ |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IORSOP8 |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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更多IRF7464功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7464PBF功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 730mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7464TR功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7464TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 1.2A 730mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
