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深圳市金胜达微科技有限公司

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IRF7324TRPBF

IRSOP-8

1700

21+

原厂订货价格优势,可开13%的增值税票

深圳市中联芯电子有限公司

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IRSOP-8

6000

24+

原装现货假一赔十

深圳市芯祺盛科技有限公司

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INFINEONSOP-8

5281

20+

原装库存有订单来谈优势

深圳市卓越微芯电子有限公司

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IRSOP8

9500

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市金芯阳科技有限公司

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IR原厂原装

3545

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进口原装现货假一赔十

深圳市百域芯科技有限公司

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BychipSOP8

10000

23+

高品质替代,技术支持,参数选型

深圳市坤融电子科技有限公司

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INFINEONSOP8

4000

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原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市航润创能电子集团有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP

300

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进口原装假一赔十支持含税

深圳市河锋鑫科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SO8

120000

20+

原装正品 可含税交易

深圳市创新迹电子有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP-8

9000

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市汇莱威科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SO8

7906200

深圳市奥皇科技有限公司

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Infineon/英飞凌SOIC-8_150mil

18395

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只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRSOIC-8

15596

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只做原装进口 免费送样!!

深圳市龙瀚电子有限公司

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IRSOP-8

6240

16+

全新原装/深圳现货库2

深圳市明嘉莱科技有限公司

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IRSOP-8

860000

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市慧业盛科技有限公司

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INFINEON TECHNOLOGIES

10025

23+

全新原装,有询必回

深圳市天成基业科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP-8

6101

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全新、原装

易创佳业科技(深圳)有限公司

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INFINEON/IRSO-8

12000

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原装现货支持送检

深圳市珩瑞科技有限公司

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IRSO-8

6000

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原装正品

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOP-8

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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

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IRF7324功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

IRF7324D1功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7324D1PBF功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 270 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF7324D1TR功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF7324D1TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2.2A 270mOhm 5.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF7324PBF功能描述:MOSFET DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF7324TR制造商:International Rectifier 功能描述:Dual P-Channel 20 V 2 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

IRF7324TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube