选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
IRQFN |
9700 |
17+ |
绝对原装正品现货假一罚十 |
|||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
|
Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
PPAK |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
IRQFN |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRPPAK |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
IRQFN |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
|
IRQFN |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
|
InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
IR |
65230 |
21+ |
||||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
|
IR |
65230 |
21+ |
||||
|
深圳市科雨电子有限公司4年
留言
|
INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRQFN |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
IRQFN |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
IRPPAK |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRPPAK |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
59210 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
IR/INFINEONPPAK |
3034 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
IRQFN |
3000 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRQFN |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
IRF6635TR1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF6635TR1图片
IRF6635TR1PBF-CUTTAPE价格
IRF6635TR1PBF-CUTTAPE价格:¥13.4608品牌:INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRF6635TR1PBF-CUTTAPE多少钱,想知道IRF6635TR1PBF-CUTTAPE价格是多少?参考价:¥13.4608。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF6635TR1PBF-CUTTAPE批发价格及采购报价,IRF6635TR1PBF-CUTTAPE销售排行榜及行情走势,IRF6635TR1PBF-CUTTAPE报价。
IRF6635TR1中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6635TR1功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6635TR1PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube