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瀚佳科技(深圳)有限公司

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绝对原装正品现货假一罚十

深圳市芯福林电子科技有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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深圳市胜彬电子有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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京海半导体(深圳)有限公司

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原装现货假一罚十

深圳市易讯博科技有限公司

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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深圳市科雨电子有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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假一罚十原包原标签常备现货!

深圳市百视威讯电子科技有限公司

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深圳市特莱科技有限公司

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16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、

深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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IRF6635TR1功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF6635TR1PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube