| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
56890 |
21+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
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IRTO-263 |
3200 |
21+ |
原装现货 价格优势 量大可定 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
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IRTO-263 |
6000 |
22+ |
绝对原装正品现货!!!13246658303 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
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INFINEONTO263 |
3000 |
23+ |
原厂渠道商 市场低价买贵就赔 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
3500 |
23+ |
全新原装,公司现货销售 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
6000 |
22+ |
公司现货，只做原装，可提供BOM配单服务！ |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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INFINEON原厂封装 |
10001 |
新批次 |
一手货源原装现货,市场可送货,可含税 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRTO-220/TO-263 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,现货供应IRF640N,全新原装,正品供应。 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
50000 |
17+ |
深圳市弘为电子有限公司,是原装现货库存为主的混合型供应商,专注功率器件。 代理和分销:Infineon(英飞凌)+IR(国际整流器)、Yea Shin(台湾亚昕)、Mosway(科域) 应用领域:电源、电机控制与驱动、家电、电池管理、电动交通、汽车电子、工业控制、电焊机、节能照明 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
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150000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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IRTO-220 |
4280 |
22++ |
原装正品优势渠道!实单特价! |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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200 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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IRTO-220 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IORTO-220 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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3600 |
2019+ |
TO-220 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILDTO-262 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市瑞祥辉半导体有限公司8年
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IRTO-220 |
1280 |
23+ |
进口原装假一罚十特价 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
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IRTO-220 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
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16850 |
1912+ |
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IRF640NPBF价格
IRF640NPBF价格：￥1.4470品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF640NPBF多少钱，想知道IRF640NPBF价格是多少？参考价：￥1.4470。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF640NPBF批发价格及采购报价，IRF640NPBF销售排行榜及行情走势，IRF640NPBF报价。
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IRF640NPBF 深圳市力通伟业半导体有限公司
型号：IRF640NPBF品牌：IR封装：TO220年份：16+ IRF640NPBF特点 IRF640NPBF是MOSFET，GaNFET-单系列分离式半导体产品，是一种通孔式器件， 采用TO-220-3(直引线)封装方式，主要包装方式为管件式包装。 类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET，GaNFET-单 系列:HEXFET®
IRF640N/晶体管/原装供应/配单BOM/亚泰盈科
晶体管
IRF640中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF640功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640,127功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF640/D功能描述:Power Field Effect Transistor
IRF640_R4941功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 200V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRF640ACP001制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF640B制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
IRF640B_FP001功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640B_FP001_Q功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640B_FP01F080制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/200V/18A/0.18OHM/SUBSTITU
