| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
2000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
2000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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2000 |
10+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO220 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220 |
275 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46580 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-220 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
11560 |
15+ |
全新原装,现货库存,长期供应 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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原装正品TO-220 |
62880 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
31000 |
23+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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仙童TO-220 |
5000 |
06+ |
原装 |
IRF614采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF614图片
IRF614SPBF价格
IRF614SPBF价格：￥2.7595品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF614SPBF多少钱，想知道IRF614SPBF价格是多少？参考价：￥2.7595。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF614SPBF批发价格及采购报价，IRF614SPBF销售排行榜及行情走势，IRF614SPBF报价。
IRF614中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF614功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF614B_FP001功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF614BFP001制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF614L功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF614PBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF614S功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF614SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF614STRL功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF614STRR功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF614STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
