选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRTO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
13397 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
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IRTO-263 |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
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IRSOT-263 |
8510 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市创芯联科技电子有限公司5年
留言
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IR(国际整流器)tray |
2800 |
2022+ |
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正品现货直销 稳定供应现货可含税 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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TITO-220 |
65000 |
18+ |
一级代理/全新现货/长期供应! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO263 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
32500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220AB |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
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IRTO-263 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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深圳市光华微科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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TO-220 |
68900 |
VISHAY |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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IR/VISHAYTO-220 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
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IRTO-220 |
87627 |
22+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IRTO263 |
16000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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IRTO220 |
9526 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
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IRTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
IRF3704采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF3704图片
IRF3704ZPBF价格
IRF3704ZPBF价格:¥15.3390品牌:International
生产厂家品牌为International的IRF3704ZPBF多少钱,想知道IRF3704ZPBF价格是多少?参考价:¥15.3390。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF3704ZPBF批发价格及采购报价,IRF3704ZPBF销售排行榜及行情走势,IRF3704ZPBF报价。
IRF3704中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3704功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704L功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704LPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3704S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
IRF3704SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3704STRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704STRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3704STRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704STRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件