| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263-7P |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRTO-263-7 |
11200 |
19+ |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-263-7 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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TO-263-7 |
18000 |
23+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IRTO-263-7 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
6500 |
22+ |
只做原装正品.或订货假一赔十! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak7-Lead |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRTO-263-7 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
9990 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
20828 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263-7 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263-7 |
7400 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO263 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-263-7 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263-7 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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IRTO-263-7 |
19870 |
22+ |
原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINEOND2PAK |
55000 |
2019 |
原装进口假一罚十 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRTO-263-7 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263-7 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
IRF1405ZS-7P采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1405ZS-7P图片
IRF1405ZS-7P中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1405ZS-7P功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1405ZS-7PPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.9mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
