| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
88000 |
22+ |
只做原装，支持实单 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
88000 |
2118+ |
只做现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
177 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市外芯人半导体有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
88000 |
23+ |
本司只做原装,可配单 |
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深圳市乐峰达科技有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
8000 |
22+ |
原厂原装,实单加微信 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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INFINEON/英飞凌N/A |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO252 |
800 |
23+ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85100 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
4050 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBTO-263 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRTO252 |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD2PAK |
800 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO263 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
IRF1010NSTRR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF1010NSTRR 原装正品 价格优势
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IRF1010NSTRR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1010NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1010NSTRRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
