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CEM11C2	文件：59.03 Kbytes Page：9 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ●30V,7A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V. -20V,-4.3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-2.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●Surface	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CHM11C2JPT	文件：321.86 Kbytes Page：3 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT7Ampere P-channel:VOLTAGE20VoltsCURRENT4.3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomoto	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
E11C2	文件：951.03 Kbytes Page：13 Pages	OSCILLATOR OSCILLATOR	Ecliptek Ecliptek Corporation	Ecliptek
H11C2	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerDiode1.7to37.2Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
H11C2	文件：415.62 Kbytes Page：5 Pages	photoscroptocouplers	QT QT Brightek (QTB)	QT
H11C2	文件：589.45 Kbytes Page：11 Pages	PHOTOSCROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11Cseriesconsistsofagallium-arsenideinfraredemittingdiodeopticallycoupledwithalightactivatedsiliconcontrolledrectifierinadual-in-linepackage FEATURES •Highefficiency,lowdegradation,liquidepitaxialLED •UnderwritersLaboratory(UL)recogniz	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11C2	文件：44.23 Kbytes Page：1 Pages	PhotoSCR PhotoSCR SingleChannelDip,PhotoSCR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
HZ11C2	文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages	Glass-EncapsulateDiodes	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
HZ11C2	文件：261.899 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
HZ11C2	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZ11C2	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZS11C2	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZU11C2L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PRG11C2	文件：141.95 Kbytes Page：2 Pages	PRG11C2-BroadbandCoax,RG11Type,15AWGSolidBC,CU-Foil45BCBraid,LSZHJkt ProductDescription BroadbandCoax,RG11Type,15AWGSolidBareCopperConductor,PEInsulation,CopperFoil+45BareCopperBraidShield,LSZHJacket	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
RKZ11C2KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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深圳市科芯源微电子有限公司	HZ11C2稳压(齐纳)二极管	日立/ST	24+	DO-35	98000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
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更多HZ11C2TD供应商更新时间2024-9-27 14:42:00

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