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HYG210P06LQ1V中文资料华羿微电数据手册PDF规格书

HYG210P06LQ1V
厂商型号

HYG210P06LQ1V

功能描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

G210P06

封装外壳

TO-251-3S

文件大小

1.32129 Mbytes

页面数量

11

生产厂商 HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.
企业简称

HUAYI华羿微电

中文名称

华羿微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 16:38:00

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