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HYG005N03LR1C2中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG005N03LR1C2

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-14 17:26:00

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HYG005N03LR1C2规格书详情

描述 Description

此器件为30V、0.55mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用Trench流片工艺,该器件可满足负载开关、锂电保护等应用领域

特性 Features

低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试  

应用 Application

负载开关、锂电保护

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG005N03LR1C2

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :375

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :0.9

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :1.1

  • PD@TC=25℃ (W)

    :230

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :8718

  • Qg Typ(nC)

    :203

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :PDFN8L(5x6)

  • Application

    :电池保护板 / 负载开关

  • 同类型号

    :HY4903B6HYG013N04LR1B6 HYG017N04NR1B6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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