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HY1608P

Single N MOSFET(50V~80V)

Huayi

华羿微电

IPT1608-BEA

High current density due to double mesa technology

文件:225.08 Kbytes 页数:4 Pages

IPS

IPT1608-BEB

High current density due to double mesa technology

文件:224.93 Kbytes 页数:4 Pages

IPS

IPT1608-CEA

High current density due to double mesa technology

文件:225.08 Kbytes 页数:4 Pages

IPS

技术参数

  • ID@TC=25℃(A):

    65

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    12

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    N/A

  • PD@TC=25℃ (W):

    126

  • Vgs(±V):

    25

  • Vth (V):

    2~4

  • Ciss Typ(pF):

    3400

  • Qg Typ(nC):

    76

  • Configuration:

    single-N

  • Package:

    TO-220FB-3L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
华裔
24+
TO-220FB-3L
6000
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
HY
20+
TO-220
89636
询价
HOOYI
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
询价
HOOYI
2022+
TO-220
32500
原厂代理 终端免费提供样品
询价
HOOYI
23+
TO-220
6800
专注配单,只做原装进口现货
询价
HUAYI/华羿微
24+
NA
20000
原装正品保障
询价
HUAYI/华羿微
24+
TO-220
60000
询价
DARFON
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
HY/后裔
23+
TO-263
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
24+
N/A
82000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
更多HY1608P供应商 更新时间2025-11-4 15:01:00