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HY12P03C2

丝印:HY12P03;Package:PPAK5-8L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.76189 Mbytes 页数:9 Pages

HUAYI

华羿微电

HY12P03S

丝印:HY12P03;Package:SOP-8L;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:2.23419 Mbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY12P03C1

Single P(-20V~ -100V)

此器件为-30V、10.5mΩ、DFN3*3_8L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域。 符合RoHS标准\n100% DVDS测试\n100% UIL测试    ;

Huayi

华羿微电

HY12P03C2

Single P MOSFET(-20V~ -100V)

此器件为 P 沟道、-30V耐压、10.4mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足负载开关、电池保护板等应用领域。 低内阻      \n符合RoHS标准                   \n100% DVDS测试\n100% UIL测试                    \n领先的封装工艺 ;

Huayi

华羿微电

HY12P03S

Single P MOSFET(-20V~ -100V)

此器件为 P 沟道、-30V耐压、10.8mΩ内阻、SOP8L封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足负载开关、电池保护板等应用领域。 低内阻      \n优异的Qg\n低FOM\n低输入电容\n符合RoHS标准                                  \n提升系统效率\n领先的封装工艺 ;

Huayi

华羿微电

技术参数

  • ID@TC=25℃:

    -12

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    13

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    16

  • PD@TC=25℃ (W):

    3.1

  • Vgs(±V):

    20

  • Vth (V):

    -1~-3

  • Ciss Typ(pF):

    2350

  • Qg Typ(nC):

    34

  • Configuration:

    Single - P

  • Package:

    SOP8L

  • Application:

    电池保护板 / DC-DC / 负载开关

  • 同类型号:

    AO4435/AO4407

  • Status:

    MP

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更多HY12P03供应商 更新时间2025-11-4 16:36:00