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HTM200N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V Trench	Hunteck 恒泰柯半导体	Hunteck
HTM200N03P	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V Trench	Hunteck 恒泰柯半导体	Hunteck
RMW200N03	文件：1.1086 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.1086 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RMW200N03	文件：1.13466 Mbytes Page：7 Pages	4.5V Drive Nch MOSFET 文件：1.13466 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQA200N03-TB	文件：1.10878 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.10878 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Product Name：
HTM200N03
Marking：
TM200N03
Package：
DFN3x3
Vds [min V]：
30
Id [A]25≧：
12
Vgs(th)[max V]：
3.0
Rds(on) [max mohm] at Vgs=10V：
20
4.5V：
30.0
2.5V：
¡¡
Qg [nC]at 10V：
11.5
Qgs [nC]：
1.6
Qgd [nC]：
2.8
Configuration：
Single_N
Downloads：
datasheet

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	HTM200N03	NK/南科功率	2025+	DFN3x3	986966	国产	询价
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更多HTM200N03供应商更新时间2025-11-4 14:01:00

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